窄带隙二维半导体在宽波段光电探测中有良好的应用前景, 然而器件性能通常受到高暗电流的限制.

东南大学倪振华教授团队在论文“Bi2O2Se/BP van der Waals heterojunction for high performance broadband photodetector”中将黑磷(BP)和铋氧硒(Bi2O2Se)两种窄带隙二维半导体构建范德华异质结, 实现了高性能光电探测器. 该器件在可见－1600 nm 波段均有良好的光响应, 相比于纯黑磷和铋氧硒光电探测器, 比探测率提高近2个数量级, 响应速度提升20倍以上.

论文发表于SCIENCE CHINA Information Sciences2021年第4期新型二维材料与器件应用专题.